科技信息

2009, (22) 79+81

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

B_mN_n、B_mN_n~-和B_mN_n~+电子特性的研究

林家勇;

摘要(Abstract):

本文采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)相同水平上计算了BmNn(m+n╬5)的绝热电子亲和势,BmNn-的垂直电离势,BmNn+的绝热电离势和垂直电离势。结果表明:BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失电子能力较弱,B2N2-失电子能力最强,BN4-失电子能力最弱,BN2-和B2N-、BN-和B3N-的垂直电离能力相同。

关键词(KeyWords): 团簇;垂直电离势;绝热亲和势;密度泛函理论

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 林家勇;

Email:

DOI:

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享