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2012, (01) 232+191

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一种带隙基准源设计研究
Research for Band-gap Reference

刘志国;戴澜;

摘要(Abstract):

带隙基准源在各种芯片中应用广泛,很多电子系能的性能直接受基准源的影响。论文提出一种采用电阻修整的带隙基准源的设计方法,通过修整来调节基准源由于受工艺等因素影响而产生的偏差,仿真结果表明,在-50℃到130℃的温度范围,基准源的电压偏差为2mV。

关键词(KeyWords): 带隙基准;温度系数;电源抑制比

Abstract:

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 刘志国;戴澜;

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